| 元件型号: | DMN1019UFDE7 |
| 产品名称: | DMN1019UFDE7 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | DMN1019UFDE7 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Diodes Incorporated |
| 描述: | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E |
| 系列: | - |
| 包装: | Cut Tape (CT) |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 11A (Ta) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 1.2V, 4.5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 800mV @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 50.6nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 2425pF @ 10V |
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 690mW (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | U-DFN2020-6 (Type E) |
| 包装/箱: | 6-UDFN Exposed Pad |
元件型号
品牌
生产日期
数量
DMN1019UFDE-7 TI 20+
TI
20+
1000
USD 0
DMN1019UFDE-7 MAXIM
MAXIM
1000
USD 0
DMN1019UFDE-7 DIODES/ 2022
DIODES/
2022
26782
USD 0
DMN1019UFDE-7 DIODES 22+
DIODES
22+
3535
USD 0
DMN1019UFDE-7 DIODES/ 22+
DIODES/
22+
27532
USD 0
DMN1019UFDE-7 TI 20+
TI
20+
1000
USD 0
DMN1019UFDE-7 MAXIM
MAXIM
1000
USD 0
DMN1019UFDE-7 DIODES/ 2022
DIODES/
2022
26782
USD 0
DMN1019UFDE-7 DIODES 22+
DIODES
22+
3535
USD 0
DMN1019UFDE-7 DIODES/ 22+
DIODES/
22+
27532
USD 0
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