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主页 > 元件型号索引 > 索引 59 > 产品 (页: 1764) > IS61NVP51236200B3ITR

什么是 IS61NVP51236200B3ITR?

元件型号: IS61NVP51236200B3ITR
产品名称: IS61NVP51236200B3ITR Memory
商户特定标识符: IS61NVP51236200B3ITR
类别: Integrated Circuits (ICs) > Memory
品牌: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
描述: IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165BGA
系列: -
包装: Tape & Reel (TR)
内存类型: Volatile
内存格式: SRAM
技术: SRAM - Synchronous
内存大小: 18Mb (512K x 36)
时钟频率: 200MHz
写入周期时间 - 字、页: -
存取时间: 3.1ns
内存接口: Parallel
电压 - 电源: 2.375 V ~ 2.625 V
工作温度: -40°C ~ 85°C (TA)
安装类型: Surface Mount
包装/箱: 165-LFBGA
供应商设备包: 165-TFBGA (13x15)
根据 3 条客户评论评分 4/5
Integrated Circuits (ICs) - Memory

IS61NVP51236200B3ITR

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IS61NVP51236200B3ITR

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公司

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品牌

生产日期

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IS61NVP51236-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 

22+

2400
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IS61NVP51236-200B3I-TR ISSI

ISSI 

22+

12708
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IS61NVP51236-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 

23+

100000
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IS61NVP51236-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 

22+

24000
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IS61NVP51236-200B3I-TR

 

1200
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IS61NVP51236-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 

22+

2400
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IS61NVP51236-200B3I-TR ISSI

ISSI 

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IS61NVP51236-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 

23+

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IS61NVP51236-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 

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IS61NVP51236-200B3I-TR

 

1200
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