| 元件型号: | MMUN2132LT1G |
| 产品名称: | MMUN2132LT1G Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 商户特定标识符: | MMUN2132LT1G |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 品牌: | ON Semiconductor |
| 描述: | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
| 系列: | - |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 晶体管类型: | PNP - Pre-Biased |
| 集电极电流 (Ic)（最大）: | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧姆）: | 4.7k |
| 电阻器 - 发射极基极 (R2)（欧姆）: | 4.7k |
| 直流电流增益 (hFE)（最小值）@ Ic、Vce: | 15 @ 5mA, 10V |
| Vce 饱和度（最大值）@Ib、Ic: | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 500nA |
| 频率-转变: | - |
| 功率 - 最大: | 246mW |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包装/箱: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备包: | SOT-23-3 (TO-236) |
元件型号
品牌
生产日期
数量
MMUN2132LT1G ON 22+
ON
22+
485567
USD 0
MMUN2132LT1G ON 22+
ON
22+
485567
USD 0
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