| 元件型号: | SI5906DUT1GE3 |
| 产品名称: | SI5906DUT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 商户特定标识符: | SI5906DUT1GE3 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 描述: | MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET |
| 系列: | TrenchFET |
| 包装: | |
| 场效应管类型: | 2 N-Channel (Dual) |
| 场效应管特性: | Logic Level Gate |
| 漏源电压 (Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 6A |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 31 mOhm @ 4.8A, 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 2.2V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 8.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 300pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 10.4W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包装/箱: | PowerPAK ChipFET,Dual |
| 供应商设备包: | PowerPAK ChipFet Dual |
元件型号
品牌
生产日期
数量
SI5906DU-T1-GE3 VISHAY 13+
VISHAY
13+
99000
USD 0
SI5906DU-T1-GE3 VISHAY 13+
VISHAY
13+
3500
USD 0
SI5906DU-T1-GE3 VISHAY 12+
VISHAY
12+
10290
USD 0
SI5906DU-T1-GE3 VISHAY 13+
VISHAY
13+
99000
USD 0
SI5906DU-T1-GE3 VISHAY 13+
VISHAY
13+
3500
USD 0
SI5906DU-T1-GE3 VISHAY 12+
VISHAY
12+
10290
USD 0
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