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什么是 SI5997DUT1GE3?

元件型号: SI5997DUT1GE3
产品名称: SI5997DUT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
商户特定标识符: SI5997DUT1GE3
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
品牌: Vishay Siliconix
描述: MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
系列: TrenchFET
包装: Cut Tape (CT)
场效应管类型: 2 P-Channel (Dual)
场效应管特性: Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss): 30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 6A
Rds On(最大)@Id、Vgs: 54 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id: 2.4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: 14.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: 430pF @ 15V
功率 - 最大: 10.4W
工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
包装/箱: PowerPAK ChipFET,Dual
供应商设备包: PowerPAK ChipFet Dual
根据 11 条客户评论评分 4/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

SI5997DUT1GE3

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SI5997DUT1GE3

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SI5997DU-T1-GE3 VISHAY

VISHAY 

22+

2089
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SI5997DU-T1-GE3 Vishay

Vishay 

22+

4982
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SI5997DU-T1-GE3 VISHAY/

 

VISHAY/ 

14+

1384
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SI5997DU-T1-GE3 MAXIM

MAXIM 

16+

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SI5997DU-T1-GE3 VISHAY

VISHAY 

22+

2089
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SI5997DU-T1-GE3 Vishay

Vishay 

22+

4982
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SI5997DU-T1-GE3 VISHAY/

 

VISHAY/ 

14+

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SI5997DU-T1-GE3 MAXIM

MAXIM 

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