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什么是 SI8800EDBT2E1?

元件型号: SI8800EDBT2E1
产品名称: SI8800EDBT2E1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
商户特定标识符: SI8800EDBT2E1
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
品牌: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
系列: TrenchFET
包装: Tape & Reel (TR)
场效应管类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss): 20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: -
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): 1.5V, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id: 1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: 8.3nC @ 8V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: -
Vgs(最大): ±8V
场效应管特性: -
功耗(最大): 500mW (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs: 80 mOhm @ 1A, 4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商设备包: 4-Microfoot
包装/箱: 4-XFBGA, CSPBGA
根据 6 条客户评论评分 4/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single

SI8800EDBT2E1

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SI8800EDBT2E1

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SI8800EDB-T2-E1 Microchip

Microchip 

2505
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SI8800EDB-T2-E1   VISHAY

VISHAY 

12000
USD 0

SI8800EDB-T2-E1 VISHAY/

VISHAY/ 

74231
USD 0

SI8800EDB-T2-E1 SILICON

 

SILICON 

23+

68231
USD 0

SI8800EDB-T2-E1 Microchip

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SI8800EDB-T2-E1   VISHAY

VISHAY 

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SI8800EDB-T2-E1 VISHAY/

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SI8800EDB-T2-E1 SILICON

 

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